日前，宁波时代全芯PCM芯片建设项目在宁波鄞州工业园区奠基。这是国内首个相变存储芯片制造基地。也就是说，不久后的将来,中国首个拥有自主知识产权的存储芯片将在这里制造生产。

　　据介绍，相变存储，是继内存、闪存之后的新一代数据存储技术，可广泛应用于移动设备、大数据存储及云存储平台。相变存储芯片的读写寿命高达1000多万次，可以存得更稳定，更安全,更节省空间。据说，全球搜索巨头谷歌的庞大数据信息，存储在美国面积达3个足球场大小的存储器里，而如果全部用新一代存储技术——相变存储技术，只需20平方米的存储器就可以搞定。2013年11月，浙江一民企自主研发的55纳米相变存储芯片正式问世。此前，只有美国美光和韩国三星两家企业将这项技术投入量产。

　　宁波时代全芯科技有限公司负责人表示，宁波时代全芯PCM芯片建设项目一期总投资为1.5亿美金，计划5年后启动二期项目，总投资超过20亿美元。(每日商报)